9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MUH1PDHM3/89A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUH1PDHM3/89A参考价格为20.392美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MUH1PDHM3/89A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP。您可以下载MUH1PDHM3/89A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MUH1PB-M3/89A是DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP，包括eSMPR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于MICROSMP，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作MicroSMP供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为40ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为10 A，恢复时间为40 ns。
MUH1PC-M3/89A是DIODE GEN PURP 150V 1A MICROSMP，包括150 V Vr反向电压，它们设计为在1.05V@1A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于150V的直流反向电压Vr Max，其提供了1.05 V的正向电压特性，供应商设备包设计为在MICROSMP中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作eSMPR系列。此外，反向恢复时间trr为40ns，该设备以40ns恢复时间提供，该设备具有封装的磁带和卷轴（TR），封装外壳为MicroSMP，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装类型为表面安装，如果正向电流为1A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@150V，电流平均整流Io为1A。
MUH1PCHM3/89A是DIODE RECT 1A 150V 25NS MICROSMP，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作MicroSMP封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备提供40ns反向恢复时间trr，该设备具有Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为MicroSMP，电压DC反向Vr最大值为150V，电压正向Vf最大值为1.05V@1A。
