9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MUH1PCHM3/89A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUH1PCHM3/89A参考价格为0.47000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MUH1PCHM3/89A封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A MICROSMP。您可以下载MUH1PCHM3/89A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MUH1PB-M3/89A是DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP，包括eSMPR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于MICROSMP，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作MicroSMP供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为40ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为10 A，恢复时间为40 ns。
MUH1PBHM3/89A是DIODE RECT 1A 100V 25NS MICROSMP，包括1.05V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于MICROSMP的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、，以及40ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为MicroSMP，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
MUF6401MNT1G，带有ON制造的电路图。MUF6401MNT1G采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
