9icnet为您提供由KYOCERA AVX设计和生产的FCH20E10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FCH20E10参考价格$2.2000。KYOCERA AVX FCH20E10包装/规格：DIODE SCHOTKY 100V 20A TO-220 F.您可以下载FCH20E10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FCH190N65F_F155带有引脚细节，包括卡套管封装，设计用于0.225401盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供208 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.2 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为20.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为168mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为60nC，正向跨导最小值为18S。
FCH190N65F_F085，带有用户指南，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供0.225401 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为25 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为14.5 ns，漏极-源极电阻Rds为401 mOhms，Qg栅极电荷为63 nC，Pd功耗为208 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20.6 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FCH16P10Q，带有NIEC制造的电路图。FCH16P10Q采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
FCH170N60，带有FSC制造的EDA/CAD模型。FCH170N60在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 22A TO247、N沟道600V 22A（Tc）227W（Tc）通孔TO-247、跨MOSFET N-CH600V 22A 3引脚（3+Tab）TO-247管、MOSFET SuperFET2 600V、170mohm。
