9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GI822-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GI822-E3/54参考价格为0.4美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GI822-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 5A P600。您可以下载GI822-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GI818HE3/73是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于磁带盒（TB）包装，数据表说明中显示了用于DO-204AC、DO-15、轴向安装的包装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-204A C（DO-15），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@1000V，该器件提供1.2V@1A电压正向Vf Max If，该器件具有1000V（1kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为750ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
GI821-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 5A P600，包括1.1V@5A正向电压Vf Max。如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了P600中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为200ns，以及切割胶带（CT）封装，该器件也可作为P600轴向封装外壳使用，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为5A，电容Vr F为300pF@4V，1MHz。
GI820-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 5A P600，包括300pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-50°C~150°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作P600轴向包装箱。此外，包装为切割胶带（CT），该设备以200ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为P600，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.1V@5A。
