9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GI810HE3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GI810HE3/54参考价格为0.236美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GI810HE3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AC。您可以下载GI810HE3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GI756-E3/73是DIODE GEN PURP 600V 6A P600，包括标准回收整流器产品，它们设计用于带盒（TB）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.074075盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计用于P600，轴向，以及通孔安装类型，该设备也可以用作P600供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复速度大于500ns，大于200mA（Io），该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为900mV@6A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为150pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，100A时Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为6 A，最大浪涌电流为400A，恢复时间为2500ns。
GI758-E3/54是DIODE GEN PURP 800V 6A P600，包括800V Vr反向电压，它们设计为在950mV@6A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的直流反向Vr Max，该800V提供了100A时1.3V的正向电压特性，单位重量设计为0.074075盎司，以及P600供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为2.5μs，该设备的恢复时间为2500 ns，该设备具有标准的产品恢复整流器，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为P600，轴向，其工作温度接合范围为-50°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-50 C，最大浪涌电流为400 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@800V，平均整流电流Io为6A，配置为单级，电容Vr F为150pF@4V，1MHz。
GI810-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AC，包括单一配置，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于1A，以及10μa Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为30 A，最小工作温度范围是-65℃，该设备有一个安装型通孔，安装类型为通孔，其工作温度连接范围为-65℃~175℃，包装箱为DO-204AC、DO-15、轴向，包装为磁带和卷轴（TR），产品为快速恢复整流器，恢复时间为750ns，反向恢复时间trr为750ns；系列为SUPERECTFIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io）；供应商设备包为DO-204AC（DO-15），单位重量为0.012346oz，Vf正向电压为1.2V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，Vr反向电压为50V。
