9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的GI858/MR858，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。GI858/MR858参考价格为0.44000美元。NTE Electronics，Inc GI858/MR858包装/规格：R-800 PRV 3A。您可以下载GI858/MR858英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GI856-E3/73是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括磁带盒（TB）封装，设计用于DO-201AD、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-201AD等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@3A，该器件提供600V直流反向电压Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为200ns，电容Vr F为28pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C ~ 150°C。
GI852-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括1.25V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为200ns、，除了切割胶带（CT）封装外，该器件还可以用作DO-201AD轴向封装盒，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为28pF@4V，1MHz。
GI854-E3/54是DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD，包括28pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-50°C~150°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为切割胶带（CT），设备以200ns反向恢复时间trr提供，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-201AD，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A。
GI856-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括通孔安装型，设计用于标准二极管型，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供DO-201AD、轴向、供应商设备封装等封装外壳功能，该器件也可以用作600V电压DC反向Vr Max，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件提供3A电流平均整流Io，该器件具有28pF@4V、1MHz电容Vr F，反向恢复时间trr为200ns，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A。
