9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GI851-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GI851-E3/54参考价格$5.34。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GI851-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD。您可以下载GI851-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GI850-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-201AD，轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-201AD等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@50V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@3A，该器件提供50V电压DC反向Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为200ns，电容Vr F为28pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C ~ 150°C。
GI828-E3/54是DIODE GEN PURP 800V 5A P600，包括1.1V@5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了P600中使用的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为200ns以及磁带和卷轴（TR）封装等速度特性，该器件也可以用作P600轴向封装外壳，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电流平均整流Io为5A，电容Vr F为300pF@4V，1MHz。
GI826-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 5A P600，包括300pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-50°C~150°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作P600轴向包装箱。此外，包装为切割胶带（CT），该设备以200ns反向恢复时间trr提供，该设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为P600，直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为1.1V@5A。
