9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N8031-GA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N8031-GA参考价格为0.3799美元。GeneSiC半导体1N8031-GA封装/规格：二极管肖特基650V 1A TO276。您可以下载1N8031-GA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N8028-GA是DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257，包括管封装，它们设计用于to-257-3封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-257，速度设计用于无恢复时间＞500mA（Io），以及碳化硅肖特基二极管类型，该器件还可以用作20μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.6V@10A，该器件提供1200V（1.2kV）电压DC反向电压Vr Max，该器件具有9.4A（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为884pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~250°C。
1N8030-GA是DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257，包括1.39V@750MA电压正向Vf Max。如果设计为在650V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-257的供应商设备包，该设备提供速度特性，如无恢复时间>500mA（Io），反向恢复时间trr设计为在0ns内工作，该器件也可用作TO-257-3封装盒，其工作温度结范围为-55°C~250°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为5μa@650V，电流平均整流Io为750mA，电容Vr F为76pF@1V，1MHz。
1N8029是由GeneSiC制造的“肖特基二极管和整流器1200V”。是二极管、整流器-单体的一部分，并支持“肖特基晶体管和整流器1200V，肖特基二极管与整流器1200V，15A，225 D C SiC肖特基整流器”。。
