9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N8035-GA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N8035-GA参考价格$4.502。GeneSiC半导体1N8035-GA封装/规格：二极管肖特基650V 14.6A TO276。您可以下载1N8035-GA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N8034-GA是DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257，包括管封装，它们设计用于to-257-3封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-257，速度设计用于无恢复时间＞500mA（Io），以及碳化硅肖特基二极管类型，该器件还可以用作5μA@650V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.34V@10A，该器件提供650V电压DC反向Vr Max，该器件具有9.4A（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为1107pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~250°C。
1N8033-GA是DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276，包括1.65V@5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在650V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-276的供应商设备包，其提供速度特性，如无恢复时间>500mA（Io），反向恢复时间trr设计为在0ns内工作，该器件也可作为TO-276AA封装盒使用，其工作温度结范围为-55°C~250°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为5μa@650V，电流平均整流Io为4.3A（DC），电容Vr F为274pF@1V，1MHz。
1N8032-GA是二极管肖特基650V 2.5A TO257，包括274pF@1V，1MHz电容Vr F，设计用于2.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@650V，提供二极管型功能，如碳化硅肖特基，安装型设计用于通孔，它的工作温度结范围为-55°C~250°C，该器件也可以用作TO-257-3封装盒。此外，包装为管式，设备以0ns反向恢复时间trr提供，设备的无恢复时间>500mA（Io）速度，供应商设备包装为TO-257，电压DC反向Vr Max为650V，电压正向Vf Max If为1.3V@2.5A。
