9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH2C-E3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH2C-E3/5BT参考价格为0.39美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH2C-E3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA。您可以下载UH2C-E3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH2BHE3_A/H，带引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表说明中显示了用于DO-214AA，SMB的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AB（SMB）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@100V，该器件提供1.05V@2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为42pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
UH2BHE3_A/I带用户指南，包括1.05V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为42pF@4V，1MHz。
UH2C-E3/52T是DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作2μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-214AA，SMB包装箱，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为35ns，设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，设备具有DO-214AA（SMB）供应商设备包，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.05V@2A。
