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SZBZX84C18LT1G是DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3，包括BZX84C18 L系列，它们设计用于齐纳稳压器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及0.94 mm高，该装置也可以用作2.9mm长度。此外，宽度为1.3 mm，该设备采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒提供，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为表面安装，供应商设备封装为SOT-23-2（TO-236），配置为单一，公差为±6%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为18V，阻抗最大Zzt为45 Ohm，电流反向泄漏Vr为50nA@12.6V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.9 V，Vz齐纳电压为18 V，电压容差为6%，电压温度系数为16mV/K，齐纳电流为20mA，Zz齐纳阻抗为45欧姆，Ir反向电流为50nA。
SZBZX84C20ET1G是DIODE ZENER 20V 225MW SOT23-3，包括20V电压齐纳标称Vz，设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±6%，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），该系列设计用于BZX84C20 E，以及225MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，阻抗最大值Zzt为55欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@14V，配置为单一。
SZBZX84C18LT3G是DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3，包括50nA@12.6V电流反向泄漏Vr，设计用于45欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3、，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作225mW最大功率。此外，该系列为BZX84C18L，该器件采用SOT-23-3（TO-236）供应商器件封装，该器件具有±6%的容差，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为18V。
