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SZBZX84C56LT1G是DIODE ZENER 56V 225MW SOT23-3，包括BZX84C56-L系列，设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型设计用于表面安装，以及SOT-23-2（to-236）供应商设备包装，该设备也可以用作单一配置。此外，容差为±7%，该设备的最大功率为225mW，该设备具有56V的电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为200欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@39.2V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA。
SZBZX84C5V1ET1G是DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT23-3，包括5.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作，公差显示在数据表注释中，以±6%使用，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，阻抗最大Zzt为60欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@2V。
SZBZX84C56ET1G是DIODE ZENER 56V 225MW SOT23-3，包括50nA@39.2V电流反向泄漏Vr，设计用于200欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作225mW最大功率。此外，该系列为BZX84C56E，该器件采用SOT-23-3（TO-236）供应商器件封装，该器件具有±7%的容差，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为56V。
