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SZBZX84C12ET1G是DIODE ZENER 12V 225MW SOT23-3，包括BZX84C12E系列，它们设计用于齐纳稳压器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.007090盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-23-3（TO-236）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为12V，最大阻抗Zzt为25欧姆，反向电流泄漏Vr为100nA@8V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为225 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.9 V，Vz齐纳电压为12 V，电压容差为5%，电压温度系数为10 mV/K，Zz齐纳阻抗为150欧姆，Ir反向电流为0.1 uA。
SZBZX84C12ET3G是DIODE ZENER 12V 225MW SOT23-3，包括12V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作，公差显示在数据表注释中，以±5%使用，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，阻抗最大Zzt为25欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@8V，配置为单一。
SZBZX84C11LT3G是DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3，包括100nA@8V电流反向泄漏Vr，设计用于在20欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作225mW最大功率。此外，该系列为BZX84C11L，该设备采用SOT-23-3（TO-236）供应商设备包，该设备具有±5%的容差，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为11V。
