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SZBZX84C4V7LT1G是DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3，包括BZX84C7V7L系列，它们设计用于齐纳稳压器产品。数据表中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及0.94 mm高，该装置也可以用作2.9mm长度。此外，宽度为1.3 mm，该设备采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒提供，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为表面安装，供应商设备封装为SOT-23-2（TO-236），配置为单一，公差为±6%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大Zzt为80 Ohm，电流反向泄漏Vr为3μA@2V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.9 V，Vz齐纳电压为4.7 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.2mV/K，齐纳电流为20mA，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为3uA。
SZBZX84C51ET1G是DIODE ZENER 51V 225MW SOT23-3，包括51V电压齐纳标称Vz，设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作，公差显示在数据表注释中，以±6%使用，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，阻抗最大值Zzt为180欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@35.7V，配置为单一。
SZBZX84C4V7LT3G是DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3，包括3μA@2V电流反向泄漏Vr，它们设计为在80欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计为在to-236-3、SC-59、SOT-23-3中工作，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作225mW最大功率。此外，该系列为BZX84C4V7L，该设备采用SOT-23-3（TO-236）供应商设备包，该设备具有±6%的容差，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为4.7V。
