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SZBZX84C43ET1G是DIODE ZENER 43V 225MW SOT23-3,包括BZX84C43 E系列,它们设计用于带卷(TR)包装,包装箱如数据表注释所示,用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型设计用于表面安装,以及SOT-23-2(to-236)供应商设备包装,该设备也可以用作单一配置。此外,容差为±7%,该设备的最大功率为225mW,该设备具有43V的电压齐纳标称Vz,阻抗最大Zzt为150欧姆,电流反向泄漏Vr为50nA@30.1V,电压正向Vf Max If为900mV@10mA。
SZBZX84C43LT1G是DIODE ZENER 43V 225MW SOT23-3,包括43V电压齐纳标称Vz,设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作,公差显示在数据表注释中,以±7%使用,提供供应商设备包功能,如SOT-23-3(to-236),系列设计用于BZX84C43 L,以及225MW最大功率,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3,其工作温度范围为-55°C~150°C,装置具有安装型表面安装,阻抗最大Zzt为150欧姆,电流反向泄漏Vr为50nA@30.1V。
SZBZX84C47ET1G是DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3,包括50nA@32.9V电流反向泄漏Vr,设计用于在170欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,其工作温度范围为-55°C~150°C,包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3、,除了磁带和卷轴(TR)包装外,该设备还可以用作225mW的最大功率。此外,供应商设备包为SOT-23-3(TO-236),该设备的容差为±6%,该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为47V。