9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N821UR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N821UR-1参考价格为0.446美元。Microchip Technology 1N821UR-1封装/规格：二极管ZENER 6.2V 500MW DO213AA。您可以下载1N821UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N821AUR是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA，包括齐纳二极管产品，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001199盎司，具有3.71 mm等长度特性，宽度设计为1.7 mm，以及DO-213AA（玻璃）包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AA供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为6.2V，阻抗最大值Zzt为10 Ohm，电流反向泄漏Vr为2μa@3V，直径为1.7mm，Pd功耗为500mW，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为5.89 V至6.51 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.01%/C，齐纳电流为2 uA，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为2μA。
1N821A，选择。带有用户指南的1%VBR，包括6.2V电压齐纳标称Vz，它们设计为在±1%的公差下运行。数据表注释中显示了DO-35中使用的供应商设备包，提供最大功率功能，如500mW，包装设计用于托盘以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该设备提供10欧姆阻抗最大Zzt，该设备具有2μa@3V电流反向泄漏Vr。
1N821AUR-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA，包括2μA@3V电流反向泄漏Vr，设计用于在10欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C，包装箱设计用于DO-213AA（玻璃）以及散装包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AA，该设备的容差为±5%，该设备具有6.2V的电压齐纳标称Vz。
