9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N5794U/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N5794U/TR参考价格68.52000美元。Microchip Technology 2N5794U/TR封装/规格：晶体管双小信号BJT。您可以下载2N5794U/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N5786是双极晶体管-BJT NPN放大器/开关，包括2N5786系列，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-39，具有10000 mW等Pd功耗特性，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，该器件还可以用作40 V集电极-发射极电压VCEO Max。此外，晶体管极性为NPN，该器件提供1 V集电极/发射极饱和电压，该器件具有45 V集电极基极电压VCBO，发射极基极电压VEBO为3.5 V，最大直流集电极电流为3.5 a，增益带宽积fT为4 MHz，并且在1.6A 2V时DC集电极基极增益hfe Min为4，并且DC电流增益hfe Max为120。
2N5785是双极晶体管-BJT NPN开关SS，包括NPN晶体管极性，它们设计为与2N5785系列一起工作，数据表注释中显示了零件别名，用于BK，提供了散装等封装功能，包装盒设计为在to-39中工作，以及通孔安装样式，该装置也可用作1.2A最大直流集电极电流。此外，增益带宽乘积fT为1 MHz，该器件以5 V发射极基极电压VEBO提供，该器件具有100的直流电流增益hFE Max，在1.2 a 2 V时，直流集电极基极增益hFE Min为20，配置为单，集电极发射极电压VCEO Max为50 V，集电极-发射极饱和电压为750 mV，集电极基极电压VCBO为65 V。
2N5784是双极晶体管-BJT。，包括80V集电极基极电压VCBO，它们设计为在500mV集电极-发射极饱和电压下工作，数据表说明中显示了用于80V的集电极-发射器电压VCEO Max，它提供了配置功能，如单、发射极基极电压VEBO设计为在5V下工作，以及4MHz增益带宽产品fT，该器件也可以用作3.5 A最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+200 C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有TO-39-3封装盒，封装为托盘，系列为2N5784，晶体管极性为NPN。
2N5793是由Microsemi制造的双极晶体管-BJT NPN双晶体管。2N5793在CAN封装中提供，是晶体管-双极（BJT）-RF的一部分，并支持双极晶体管-BJT NPN双晶体管、双极（BJ）晶体管阵列通孔TO-78-6。
