2N5191

Name: 2N5191
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7095775-2N5191
Price: 4.200882 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 40瓦特征频率: 2MHz 供应商设备包装: SOT-32-3
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

晶体管类别 NPN
安装类别通孔
工作温度 150摄氏度（TJ）
部件状态过时的
集电极击穿电压 60 V
特征频率 2MHz
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大集电极电流 (Ic) 4A
最大功率 40瓦
集电极最大截止电流 1毫安
包装/外壳至225AA，至126-3
供应商设备包装 SOT-32-3
最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 1A、4A时为1.4伏
最小直流增益 25@1.5A，2V

2N5191 产品详情

硅NPN功率晶体管适用于功率放大器和开关电路——极佳的安全区域限制。与PNP 2N5194、2N5195互补。

•环氧树脂符合UL 94 V−0@0.125 in。
•这些设备不含铅，符合RoHS标准*

特色

提供无铅包装

（图片：引出线）

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型号	制造商	描述	价格
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2N5551-TA C档	江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300	¥0.21439
2N5551G-B-AB3-R		晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240	¥0.36577
2N5401U 5401	创基 (CBI)	暂无	¥0.20403
2N5551U 5551	创基 (CBI)	集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印)	¥0.21078
2N5466	深圳质超 (SPTECH)	暂无	¥5.6751

2N5191所属分类：分立双极结型晶体管，2N5191 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5191价格参考￥4.200882，你可以下载 2N5191中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5191规格参数、现货库存、封装信息等信息！