该设备设计用于通用高压放大器和气体放电显示驱动器。
笔记
后缀“-C”表示2N5551(1)中的中心收集器。发射器2。收集器3。底座)
后缀“-Y”测量2N5551中的hFE 180-240(测试条件:Ic=10mA,Vce=5.0V)
绝对最大额定值
1.集电极-发射极电压:VCEO=160 V
2.集电极基极电压:VCBO=180 V
3.发射极基极电压:VEBO=6 V
4.集电极电流-连续:IC=600 mA
起订量: 30
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
30+ | 0.47803 | 14.34093 |
45+ | 0.45550 | 20.49777 |
90+ | 0.37902 | 34.11189 |
180+ | 0.31586 | 56.85534 |
240+ | 0.26313 | 63.15240 |
480+ | 0.25002 | 120.01200 |
960+ | 0.23749 | 227.99520 |
2000+ | 0.22561 | 451.23200 |
4000+ | 0.21431 | 857.26800 |
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该设备设计用于通用高压放大器和气体放电显示驱动器。
笔记
后缀“-C”表示2N5551(1)中的中心收集器。发射器2。收集器3。底座)
后缀“-Y”测量2N5551中的hFE 180-240(测试条件:Ic=10mA,Vce=5.0V)
绝对最大额定值
1.集电极-发射极电压:VCEO=160 V
2.集电极基极电压:VCBO=180 V
3.发射极基极电压:VEBO=6 V
4.集电极电流-连续:IC=600 mA
40多年来,Diotec Semiconductor为半导体芯片、封装类型、引线配置等提供定制解决方案。他们致力于通过创新和高质量的客户服务取得成功。迪奥泰克将是您的二极管和整流器应用的专家。