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2N5339

Name: 2N5339
Brand: 固态公司 (Solid State )
SKU: 7100487-2N5339
Price: 28.609455 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 6 W 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-5
品牌: 固态公司 (Solid State )
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
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起订量: 1

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规格参数

部件状态可供货
晶体管类别 NPN
安装类别通孔
集电极击穿电压 100伏
工作温度 -65摄氏度~200摄氏度（TJ）
特征频率 30MHz
集电极最大截止电流 10A（ICBO）
最大集电极电流 (Ic) 5 A
制造厂商固态公司 (Solid State )
包装/外壳 TO-205AA、TO-5-3金属罐
供应商设备包装 TO-5
最大功率 6 W
最小直流增益 60 @ 2A, 2V
最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 1.2V@500毫安，5A

2N5339 产品详情

描述：芯片类型2C5154几何9201极性NPN

Semicoa Semiconductors的2C5154b型芯片提供与这些器件类似的性能。

应用：

专为中功率放大器、开关和宽带放大器应用而设计。

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型号	制造商	描述	价格
2N5306 PBFREE	中央半导体 (Central)	TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92	¥1.98376
2N5038	NTE电子 (NTE)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3	¥31.57904
2N5427	微芯 (Microchip)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦供应商设备包装: TO-66	¥217.61293
2N50000G33YC	晶科鑫 (SJK)	频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS	¥4.43499
2N5551S-RTK/P	KEC公司 (KEC)	集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V	¥0.08257
2N5551-TA C档	江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300	¥0.21439
2N5551G-B-AB3-R		晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240	¥0.36577
2N5401U 5401	创基 (CBI)	暂无	¥0.20403
2N5551U 5551	创基 (CBI)	集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印)	¥0.21078
2N5466	深圳质超 (SPTECH)	暂无	¥5.6751

2N5339所属分类：分立双极结型晶体管，2N5339 由固态公司 (Solid State ) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5339价格参考￥28.609455，你可以下载 2N5339中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5339规格参数、现货库存、封装信息等信息！