快速的开关速度和高电流容量非常适合这些部件用于工业和商业应用中的开关调节器、逆变器、宽带放大器和功率振荡器。
2N5038
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1.A. 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦 供应商设备包装: TO-3
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 373.29906 | 37329.90660 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 特征频率 -
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至204AA，至3
- 供应商设备包装 TO-3
- 集电极最大截止电流 1.A.
- 集电极击穿电压 90 V
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 2.5V@5A，20A
- 最大功率 140瓦
- 最大集电极电流 (Ic) 1.A.
- 工作温度 -65摄氏度~200摄氏度（TA）
- 最小直流增益 50 @ 2A, 5V
2N5038 产品详情
2N5038 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N5306 PBFREE | 中央半导体 (Central) | TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 | ¥1.98376 |
 | 2N5038 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3 | ¥31.57904 |
 | 2N5427 | 微芯 (Microchip) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-66 | ¥217.61293 |
 | 2N50000G33YC | 晶科鑫 (SJK) | 频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS | ¥4.43499 |
| 2N5551S-RTK/P | KEC公司 (KEC) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.08257 |
| 2N5551-TA C档 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300 | ¥0.21439 |
| 2N5551G-B-AB3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.36577 | |
| 2N5401U 5401 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.20403 |
| 2N5551U 5551 | 创基 (CBI) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印) | ¥0.21078 |
| 2N5466 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.6751 |
2N5038所属分类：分立双极结型晶体管，2N5038 由 微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5038价格参考￥373.299066，你可以下载 2N5038中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5038规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微芯 (Microchip)
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
