通用突变变容二极管
特色
- 伊斯兰主义
应用
- 伽马：0.5
- CT比率类型：3.3
- 击穿电压：45 V
- 质量因数@50 MHz，最小值：600
2N5682E3
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10A. 集电极击穿电压: 120伏 最大功率: 1 W 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-5
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 100
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 163.39982 | 16339.98240 |
- 库存: 0
- 单价: ¥163.39982
-
数量:
- +
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 通孔
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
- 工作温度 -65摄氏度~200摄氏度（TJ）
- 特征频率 30MHz
- 最大功率 1 W
- 集电极击穿电压 120伏
- 集电极最大截止电流 10A.
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 包装/外壳 TO-205AA、TO-5-3金属罐
- 供应商设备包装 TO-5
- 最小直流增益 40 @ 250毫安, 2V
- 最大集电极电流 (Ic) 10A.
2N5682E3 产品详情
2N5682E3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N5306 PBFREE | 中央半导体 (Central) | TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 | ¥1.98376 |
 | 2N5038 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3 | ¥31.57904 |
 | 2N5427 | 微芯 (Microchip) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-66 | ¥217.61293 |
 | 2N50000G33YC | 晶科鑫 (SJK) | 频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS | ¥4.43499 |
| 2N5551S-RTK/P | KEC公司 (KEC) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.08257 |
| 2N5551-TA C档 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300 | ¥0.21439 |
| 2N5551G-B-AB3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.36577 | |
| 2N5401U 5401 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.20403 |
| 2N5551U 5551 | 创基 (CBI) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印) | ¥0.21078 |
| 2N5466 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.6751 |
2N5682E3所属分类：分立双极结型晶体管，2N5682E3 由 微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5682E3价格参考￥163.399824，你可以下载 2N5682E3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5682E3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微芯 (Microchip)
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
