9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N5661，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N5661参考价格22.96500美元。Microchip Technology 2N5661封装/规格：NPN晶体管。您可以下载2N5661英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N5657是TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32，包括2N5657系列，它们设计用于管式包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供SOT-32-3等包装箱功能，配置设计用于单台，以及20 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-65℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为350 V，该器件具有晶体管极性NPN，集电极-发射器饱和电压为10 V，集电极基极电压VCBO为375 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为1 a，增益带宽积fT为10 MHz，且连续集电极电流为0.5A，且DC集电极基极增益hfe Min为30，且DC电流增益hfe Max为250。
2N5657G是双极晶体管-BJT 1A 250V 20W NPN，包括NPN晶体管极性，它们设计为与2N5657系列一起工作，Pd功耗如数据表注释所示，用于20W，提供散装等封装功能，封装盒设计为在to-225-3中工作，以及通孔安装样式，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为0.5 A，该器件具有10 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为6 V，直流集电极基极增益hfe Min为30，连续集电极电流是0.5 A，并且配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为350V，集电极-发射器饱和电压为1V，集极基极电压VCBO为375V。
2N5660是由MOT制造的TRANS NPN 200V 2A TO-66。2N5660在TO-213AA、TO-66-2封装中提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分，并支持TRANS NPN 200V 2A TO-66、双极（BJT，Bipolar Transistor）、双极晶体管-BJT NPN Transistor。
