军用、工业和商业设备中的高速开关和线性放大器。
绝对最大额定值
1.集电极-发射极电压：VCEO=200 V
2.集电极基极电压：VCBO=200 V
3.发射极基极电压：VEBO=4 V
文件中的其他数据表：2N5416、N5415、N5416
2N5415
- 描述:晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 200伏 最大功率: 1 W 特征频率: 15MHz 供应商设备包装: TO-39
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥2.04250
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.04
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规格参数
- 晶体管类别 即插即用
- 安装类别 通孔
- 工作温度 -
- 最大集电极电流 (Ic) 1A
- 部件状态 过时的
- 最大功率 1 W
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 集电极击穿电压 200伏
- 包装/外壳 TO-205AD、TO-39-3金属罐
- 最小直流增益 30 @ 50毫安, 10V
- 集电极最大截止电流 50A
- 特征频率 15MHz
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 2.5V@5毫安，50毫安
- 供应商设备包装 TO-39
2N5415 产品详情
2N5415 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N5306 PBFREE | 中央半导体 (Central) | TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 | ¥1.98376 |
 | 2N5038 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3 | ¥31.57904 |
 | 2N5427 | 微芯 (Microchip) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-66 | ¥217.61293 |
 | 2N50000G33YC | 晶科鑫 (SJK) | 频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS | ¥4.43499 |
| 2N5551S-RTK/P | KEC公司 (KEC) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.08257 |
| 2N5551-TA C档 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300 | ¥0.21439 |
| 2N5551G-B-AB3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.36577 | |
| 2N5401U 5401 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.20403 |
| 2N5551U 5551 | 创基 (CBI) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印) | ¥0.21078 |
| 2N5466 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.6751 |
2N5415所属分类：分立双极结型晶体管，2N5415 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5415价格参考￥2.042498，你可以下载 2N5415中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5415规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
