9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N5238S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N5238S参考价格$15.01500。Microchip Technology 2N5238S封装/规格：NPN晶体管。您可以下载2N5238S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5237C-TR是DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，安装类型设计为在通孔中工作，以及DO-35供应商设备包，该装置也可用作±2%公差。此外，最大功率为500mW，该器件提供8.2V电压齐纳标称Vz，该器件具有8欧姆阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为3μa@6.5V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA。
1N5237C-TAP是DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35，包括8.2V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±2%，提供供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500MW最大功率，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@6.5V。
带电路图的1N5237TA，包括3μA@6.5V电流反向泄漏Vr，其设计为在8欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，供应商设备包为DO-35，该设备提供1.1V@200mA正向电压Vf Max。如果该设备具有8.2V的电压齐纳标称Vz。
1N5237BUR-1是由Microsemi制造的齐纳二极管齐纳稳压器二极管。1N5237BUR-1在DO-213AA封装中提供，是二极管齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管。
