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2N5880是双极晶体管-BJT 80V 15A PNP,包括2N5880系列,它们设计用于管式封装,单位重量如数据表注释所示,用于0.225789盎司,具有通孔等安装方式特征,封装盒设计用于to-3,以及单一配置,该设备还可用作160 W Pd功耗,它的最大工作温度范围为+200 C,最小工作温度范围是-65 C,该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为80 V,晶体管极性为PNP,集电极-发射器饱和电压为4 V,集电极基极电压VCBO为80 V、发射极基极电压VEBO为5 V,最大直流集电极电流为15 a,并且增益带宽乘积fT是4MHz,并且DC集电极基本增益hfe Min是20。
2N5881是由Microsemi制造的双极晶体管-BJT NPN晶体管。2N5881在TO-3封装中提供,是晶体管-双极(BJT)-RF的一部分,并支持双极晶体管-BJT NPN晶体管、双极(BJ)晶体管NPN 60V 15A 160W。
2N5882是由Microsemi制造的双极晶体管-BJT NPN晶体管。2N5882在TO-3封装中提供,是晶体管-双极(BJT)-RF的一部分,并支持双极晶体管-BJT NPN晶体管、双极(BJ)晶体管、Trans-GP BJT NPP 80V 15A 3引脚(2+Tab)TO-3。