硅NPN功率晶体管适用于功率放大器和开关电路——极佳的安全区域限制。与PNP 2N5194、2N5195互补。
•环氧树脂符合UL 94 V−0@0.125 in。
•这些设备不含铅，符合RoHS标准*
特色
- 提供无铅包装
（图片：引出线）
2N5191
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 40瓦 特征频率: 2MHz 供应商设备包装: TO-126
- 品牌: 中央半导体 (Central)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥3.36071
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.36
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规格参数
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 通孔
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 中央半导体 (Central)
- 部件状态 过时的
- 集电极击穿电压 60 V
- 特征频率 2MHz
- 最大集电极电流 (Ic) 4A
- 最大功率 40瓦
- 集电极最大截止电流 1毫安
- 包装/外壳 至225AA，至126-3
- 供应商设备包装 TO-126
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 1A、4A时为1.4伏
- 最小直流增益 25@1.5A，2V
2N5191 产品详情
2N5191 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N5306 PBFREE | 中央半导体 (Central) | TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 | ¥1.98376 |
 | 2N5038 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3 | ¥31.57904 |
 | 2N5427 | 微芯 (Microchip) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-66 | ¥217.61293 |
 | 2N50000G33YC | 晶科鑫 (SJK) | 频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS | ¥4.43499 |
| 2N5551S-RTK/P | KEC公司 (KEC) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.08257 |
| 2N5551-TA C档 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300 | ¥0.21439 |
| 2N5551G-B-AB3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.36577 | |
| 2N5401U 5401 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.20403 |
| 2N5551U 5551 | 创基 (CBI) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印) | ¥0.21078 |
| 2N5466 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.6751 |
2N5191所属分类：分立双极结型晶体管，2N5191 由 中央半导体 (Central) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5191价格参考￥3.360706，你可以下载 2N5191中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5191规格参数、现货库存、封装信息等信息！
中央半导体 (Central)
自1974年以来，Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前，设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流...
