9icnet为您提供由中央半导体公司（Central Semiconductor Corp）设计和生产的2N5193，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N5193参考价格为0.456美元。中央半导体公司2N5193包装/规格：TRANS PNP 40V 4A TO126。您可以下载2N5193英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N5191G是TRANS NPN 60V 4A TO225AA，包括2N5191系列，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-225AA、to-126-3等包装箱功能，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为40W，该器件为NPN晶体管型，该器件具有4A集电极Ic最大值，集电极-发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为25@1.5A，2V，Vce饱和最大Ib Ic为1.4V@1A，4A，集电极截止最大值为1mA，频率转换为2MHz，Pd功耗为40W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为1.4 V，集电极基极电压VCBO为60 V和发射极基极电压VEBO为5 V，并且最大DC集电极电流为4A，并且增益带宽乘积fT为2MHz，并且连续集电极电流是4A，并且DC集电极基本增益hfe Min为25。
2N5192G是双极晶体管-BJT 4A 80V 40W NPN，包括NPN晶体管极性，它们设计为与2N5192系列一起工作，Pd功耗如数据表注释所示，用于40W，提供散装等封装功能，封装盒设计为在to-225-3中工作，以及通孔安装样式，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该设备的最大直流集电极电流为4 A，该设备具有2 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为5 V，直流集电极基极增益hfe Min为20，连续集电极电流是4 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为80V，集电极-发射器饱和电压为1.4V，集极基极电压VCBO为80V。
2N5192带有ON制造的电路图。2N5192采用TO-126封装，是IC芯片、双极（BJT）晶体管NPN 80V 4A 2MHz 40W通孔SOT-32-3、Trans-GP BJT NPN 80W 4A 40000mW 3引脚（3+Tab）SOT-32管的一部分。
