9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N5660,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。2N5660参考价格35.97000美元。Microchip Technology 2N5660封装/规格:NPN晶体管。您可以下载2N5660英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N5657是TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32,包括2N5657系列,它们设计用于管式包装,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供SOT-32-3等包装箱功能,配置设计用于单台,以及20 W Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-65℃,该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为350 V,该器件具有晶体管极性NPN,集电极-发射器饱和电压为10 V,集电极基极电压VCBO为375 V,发射极基极电压VEBO为6 V,最大直流集电极电流为1 a,增益带宽积fT为10 MHz,且连续集电极电流为0.5A,且DC集电极基极增益hfe Min为30,且DC电流增益hfe Max为250。
2N5655G是双极晶体管-BJT 1A 250V 20W NPN,包括NPN晶体管极性,它们设计为与2N5655系列一起工作,Pd功耗如数据表注释所示,用于20W,提供散装等封装功能,封装盒设计为在to-225-3中工作,以及通孔安装样式,它的最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+150℃,该器件的最大直流集电极电流为0.5 A,该器件具有10 MHz的增益带宽乘积fT,发射极基极电压VEBO为6 V,直流集电极基极增益hfe Min为30,连续集电极电流是0.5 A,并且配置为单一,集电极-发射极电压VCEO Max为250V,集电极-发射器饱和电压为1V,集极基极电压VCBO为275V。
2N5657G是双极晶体管-BJT 1A 250V 20W NPN,包括375 V集电极基极电压VCBO,它们设计为在1 V集电极-发射极饱和电压下工作,集电极-发射器电压VCEO Max显示在数据表注释中,用于350 V,提供配置功能,如单、连续集电极电流设计为工作在0.5 a,该器件还可以用作6V发射极基极电压VEBO。此外,增益带宽产品fT为10MHz,该器件的最大直流集电极电流为0.5A,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,安装方式为通孔,封装外壳为TO-225-3,封装为散装,Pd功耗为20W,系列为2N5657,晶体管极性为NPN。