9icnet为您提供由onsemi设计和生产的2N5550RLRA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N5550RLRA价格参考$0.04000。onsemi 2N5550RLRA包装/规格：TRANS NPN 140V 0.6A TO-92。您可以下载2N5550RLRA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N5550是TRANS NPN 140V 0.6A TO92，包括2N5550系列，设计用于散装包装，数据表注释中显示了零件别名，用于BK，提供单位重量功能，如0.016000盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-92-3包装箱，该设备也可作为单配置使用。此外，Pd功耗为625 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为140 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.25 V，集电极基极电压VCBO为160 V，发射极基极电压VEBO为6 V，并且最大DC集电极电流为0.6A，增益带宽乘积fT为300MHz，并且连续集电极电流是0.6A，并且DC集电极基本增益hfe Min在5V时在1mA时为60，在5V时为10mA，在5mA时为20，在5V下为50mA。
2N5550G是双极晶体管-BJT 600mA 160V NPN，包括NPN晶体管极性，它们设计用于2N5550系列，Pd功耗如数据表注释所示，用于625 mW，提供散装等封装特性，封装盒设计用于to-92-3（to-226），以及通孔安装样式，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为0.6 A，该器件具有300 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为6 V，直流集电极基极增益hfe Min为60，连续集电极电流是0.6 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为140V，集电极-发射器饱和电压为0.25V，集极基极电压VCBO为160V。
2N5547JTXL01，带有电路图，包括通孔安装型，设计用于to-71-6包装盒，包装如数据表注释所示，用于提供to-71等供应商设备包装功能的管子。
2N5547JTXV01，带EDA/CAD模型，包括管包装，设计用于to-71-6包装箱，数据表说明中显示了用于to-71的供应商设备包，该to-71提供安装类型功能，如通孔。
