设计用于开关和宽带放大器应用
该产品可根据各种军事规格进行筛选。
EG.2N5430CECCQRB根据CECC程序构建和筛选。按顺序B筛选。
2N5430
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 40瓦 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-66
- 品牌: 中央半导体 (Central)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥2.11493
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.11
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规格参数
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 通孔
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
- 集电极最大截止电流 -
- 最小直流增益 -
- 集电极击穿电压 100伏
- 工作温度 -
- 制造厂商 中央半导体 (Central)
- 部件状态 过时的
- 特征频率 30MHz
- 最大集电极电流 (Ic) 7 A
- 最大功率 40瓦
- 包装/外壳 至213AA，至66-2
- 供应商设备包装 TO-66
2N5430 产品详情
2N5430 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N5306 PBFREE | 中央半导体 (Central) | TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 | ¥1.98376 |
 | 2N5038 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3 | ¥31.57904 |
| 2N5427 | 微芯 (Microchip) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-66 | ¥217.61293 |
 | 2N50000G33YC | 晶科鑫 (SJK) | 频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS | ¥4.43499 |
| 2N5551S-RTK/P | KEC公司 (KEC) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.08257 |
| 2N5551-TA C档 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300 | ¥0.21439 |
| 2N5551G-B-AB3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.36577 | |
| 2N5401U 5401 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.20403 |
| 2N5551U 5551 | 创基 (CBI) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印) | ¥0.21078 |
| 2N5466 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.6751 |
2N5430所属分类：分立双极结型晶体管，2N5430 由 中央半导体 (Central) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5430价格参考￥2.114927，你可以下载 2N5430中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5430规格参数、现货库存、封装信息等信息！
中央半导体 (Central)
自1974年以来，Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前，设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流...
