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2N5210BU是TRANS NPN 50V 0.1A TO-92，包括散装包装，设计用于0.006314 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及TO-92-3供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为625mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有100mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@100μa，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为700mV@1mA，10mA，电流收集器截止最大值为50 nA，频率转换为30MHz，Pd功耗为625mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.7 V，集电极基极电压VCBO为50 V、发射极基极电压VEBO为4.5 V，且最大DC集电极电流为0.1A，且增益带宽乘积fT为30MHz，且连续集电极电流是0.1A，并且DC集电极基本增益hfe Min是200，且DC电流增益hfe Max是600。
2N5210是TRANS NPN 50V 0.05A TO-92，包括0.016000 oz单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于2N5210，提供Pd功率耗散功能，如350 mW，零件别名设计用于BK，以及散装包装，该设备也可用作TO-92包装箱。此外，安装类型为通孔，其最大工作温度范围为+150℃，该器件具有50 mA的最大直流集电极电流，增益带宽积fT为30 MHz，发射极基极电压VEBO为4.5 V，直流集电极基极增益hfe Min为200，电压为100 uA 5 V，连续集电极电流为0.1 a，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为50V，集电极-发射器饱和电压为700mV，集电极基极电压VCBO为50V。
2N5209是TRANS NPN 50V 0.05A TO-92，包括50 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在0.7 V集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-辐射极电压VCEO Max如数据表注释所示，用于50 V，提供配置功能，如单直流集电极基极增益hfe Min设计为在100，除了4.5 V发射极基极电压VEBO外，该器件还可以用作30 MHz增益带宽产品fT。此外，最大直流集电极电流为0.05 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，安装方式为通孔，封装外壳为TO-92，封装为散装，零件别名为BK，Pd功耗为350mW，系列为2N5209，晶体管极性为NPN，单位重量为0.016000盎司。
