ZXMHC3F381N8TC

Name: ZXMHC3F381N8TC
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7116396-ZXMHC3F381N8TC
Price: 6.470807 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N和2个P通道（H桥）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.98A, 3.36A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:2-3 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	6.47080	6.47080
100+	5.20836	520.83690
1000+	4.89330	4893.30300

库存: 5
单价: ¥6.47081
数量:
- +
总计: ¥6.47

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
场效应管特性逻辑电平门
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SO
场效应管类型 2个N和2个P通道（H桥）
漏源电流 (Id) @ 温度 3.98A, 3.36A
导通电阻 Rds(ON) 33毫欧姆 @ 5A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9nC @ 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 430皮法 @ 15V
最大功率 870mW

ZXMHC3F381N8TC 产品详情

这一新一代互补MOSFET H桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。

ZXMHC3F381N8TC 相关器件

型号	制造商	描述	价格
ZXMN3A04KTC	达尔科技 (Diodes rporated)	MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK	¥15.06523
ZXMP10A17GTA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3	¥2.05409
ZXMN6A10N8TA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 供应商设备包装: 8-SO	¥17.86099
ZXMN6A11GTC	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta）最大功耗: 2W（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥11.08164
ZXMS6004FFTA	达尔科技 (Diodes rporated)	开关种类: 一般用途输出类别: n通道输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 低端负载电压: 60V (Max) 供应商设备包装: SOT-23F	¥4.55059
ZXMN6A25GTA(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.48057
ZXMS6004SGQTA		LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T&R 1	¥0.00
ZXMS6005SGQTA		LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T&R 1	¥0.00
ZXMS81200SPQ-13		HIGH SIDE INTELLIFET SO-8EP T&R	¥0.00
ZXMS6008FFQ-7		LOW SIDE INTELLIFET SOT23F T&R 3	¥0.00

ZXMHC3F381N8TC所属分类：场效应晶体管阵列，ZXMHC3F381N8TC 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXMHC3F381N8TC价格参考￥6.470807，你可以下载 ZXMHC3F381N8TC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXMHC3F381N8TC规格参数、现货库存、封装信息等信息！