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FDW2512NZ是MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP,包括PowerTrenchR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)封装,数据表注释中显示了用于8-TSSOP(0.173“,4.40mm宽)的包装箱,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),安装类型设计用于表面安装,以及8-TSSOP供应商设备包装,该设备也可作为2 N通道(双通道)使用FET类型。此外,功率最大值为1.6W,该器件提供20V漏极到源极电压Vdss,该器件具有670pF@10V的输入电容Cis-Vds,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为6A,最大Id Vgs上的Rds为28mOhm@6A,4.5V,Vgs最大Id为1.5V@250μa,栅极电荷Qg-Vgs为12nC@4.5V。
FDW2512NZ_NL,带有FSC制造的用户指南。FDW2512NZ_NL在TSSOP-8封装中提供,是IC芯片的一部分。
FDW2515NZ,带有FAIRCHILD制造的电路图。FDW2515NZ采用SSOP-8封装,是IC芯片的一部分。