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FDW2512NZ是MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包装，该设备也可作为2 N通道（双通道）使用FET类型。此外，功率最大值为1.6W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有670pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为28mOhm@6A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@4.5V。
FDW2511ZN，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDW2511ZN采用MSOP8封装，是IC芯片的一部分。
FDW2512NZ_NL，带有FSC制造的电路图。FDW2512NZ_NL在TSSOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
