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FDW2503N是MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包装，该设备也可作为2 N通道（双通道）使用FET类型。此外，最大功率为600mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1082pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为5.5A，最大Id Vgs上的Rds为21mOhm@5.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@4.5V。
FDW2503NZ是MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如20 mOhm@5.5A、4.5V，Power Max设计用于600mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为1286pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为5.5A。
FDW2503N-NL，电路图由FSC制造。FDW2503N-NL采用TSSOP-8封装，是IC芯片的一部分。
