ZXMC3AMCTA

Name: ZXMC3AMCTA
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7116539-ZXMC3AMCTA
Price: 7.894761 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、2.1A 供应商设备包装: DFN3020B-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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10+	7.05458	70.54585
100+	5.50315	550.31550
500+	4.54578	2272.89450
1000+	3.58885	3588.85700
3000+	3.34955	10048.65600
6000+	3.26256	19575.38400

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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
场效应管特性逻辑电平门
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 N和P通道
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.9nC @ 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25伏时190华氏度
最大功率 1.7瓦
漏源电流 (Id) @ 温度 2.9A、2.1A
导通电阻 Rds(ON) 120欧姆@2.5A，10V
包装/外壳 8-WDFN Exposed Pad
供应商设备包装 DFN3020B-8

ZXMC3AMCTA 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

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型号	制造商	描述	价格
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ZXMN6A11GTC	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta）最大功耗: 2W（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥11.08164
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ZXMS6004SGQTA		LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T&R 1	¥0.00
ZXMS6005SGQTA		LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T&R 1	¥0.00
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ZXMS6008FFQ-7		LOW SIDE INTELLIFET SOT23F T&R 3	¥0.00

ZXMC3AMCTA所属分类：场效应晶体管阵列，ZXMC3AMCTA 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXMC3AMCTA价格参考￥7.894761，你可以下载 ZXMC3AMCTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXMC3AMCTA规格参数、现货库存、封装信息等信息！