ZXMC3A17DN8TA

Name: ZXMC3A17DN8TA
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7116548-ZXMC3A17DN8TA
Price: 3.880746 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A, 3.4A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
场效应管特性逻辑电平门
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 N和P通道
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SO
最大功率 1.25瓦
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A（最小值）
漏源电流 (Id) @ 温度 4.1A, 3.4A
导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 7.8A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.2 nC@10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600皮法 @ 25V

ZXMC3A17DN8TA 产品详情

Zetex的新一代沟槽MOSFET采用了一种独特的结构，将低导通电阻和快速开关速度的优点结合在一起。这使其成为高效、低电压、电源管理应用的理想选择。

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ZXMC3A17DN8TA所属分类：场效应晶体管阵列，ZXMC3A17DN8TA 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXMC3A17DN8TA价格参考￥3.880746，你可以下载 ZXMC3A17DN8TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXMC3A17DN8TA规格参数、现货库存、封装信息等信息！