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ZXMC3A16DN8TC

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A, 4.1A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.00920 11.00920
10+ 9.87207 98.72073
100+ 7.69630 769.63060
500+ 6.35781 3178.90900
1000+ 5.01933 5019.33000
2500+ 4.68470 11711.77000
5000+ 4.56302 22815.13500
  • 库存: 1975
  • 单价: ¥11.00921
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.01
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 最大功率 1.25瓦
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.9A, 4.1A
  • 导通电阻 Rds(ON) 35毫欧姆 @ 9A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A(最小值)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17.5nC@10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 796皮法 @ 25V

ZXMC3A16DN8TC 产品详情

Zetex的新一代沟槽MOSFET采用了一种独特的结构,将低导通电阻和快速开关速度的优点结合在一起。这使其成为高效、低电压、电源管理应用的理想选择。

ZXMC3A16DN8TC所属分类:场效应晶体管阵列,ZXMC3A16DN8TC 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMC3A16DN8TC价格参考¥11.009208,你可以下载 ZXMC3A16DN8TC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMC3A16DN8TC规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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