ZXMHC6A07N8TC

Name: ZXMHC6A07N8TC
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7117762-ZXMHC6A07N8TC
Price: 8.256906 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N和2个P通道（H桥）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.39A、1.28A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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10+	7.40224	74.02244
100+	5.77259	577.25910
500+	4.76843	2384.21800
1000+	3.76449	3764.49700
2500+	3.51353	8783.82750
5000+	3.42227	17111.35000

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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
场效应管特性逻辑电平门
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SO
场效应管类型 2个N和2个P通道（H桥）
最大功率 870mW
漏源电压标 (Vdss) 60V
漏源电流 (Id) @ 温度 1.39A、1.28A
导通电阻 Rds(ON) 250毫欧姆@1.8A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.2nC @ 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 166皮法@40V

ZXMHC6A07N8TC 产品详情

这一新一代互补MOSFET H桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。

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型号	制造商	描述	价格
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ZXMN6A11GTC	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta）最大功耗: 2W（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥11.08164
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ZXMS6008FFQ-7		LOW SIDE INTELLIFET SOT23F T&R 3	¥0.00

ZXMHC6A07N8TC所属分类：场效应晶体管阵列，ZXMHC6A07N8TC 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXMHC6A07N8TC价格参考￥8.256906，你可以下载 ZXMHC6A07N8TC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXMHC6A07N8TC规格参数、现货库存、封装信息等信息！