起订量: 39
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 39+ | 55.77033 | 2175.04287 |
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SuperFET®II MOSFET是Fairchild Semiconductors全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，该系列利用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗，提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合开关电源应用，如PFC、服务器/电信电源、FPD TV电源、ATX电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET®MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
应用LCD/LED/PDP电视电信/服务器电源太阳能逆变器AC-DC电源
700 V@TJ=150℃典型值。RDS（on）=36 mΩ超低栅极电荷（Typ.Qg=226 nC）低有效输出电容（Typ.Coss（eff.）=1278 pF）100%雪崩测试符合RoHS
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FCH2-A-T14 | 泛达 (Panduit) | 种类: 夹子，扁平 色彩/颜色: 灰色 安装类别: 粘合剂、紧固件 | ¥12.53022 |
 | FCH2-A-C14 | 泛达 (Panduit) | 安装类别: 螺钉，#6，粘合剂 材质: 尼龙 色彩/颜色: 灰色 大小/尺寸: 2.48英寸长x 1.03英寸宽（63.0毫米x 26.2毫米） | ¥16.2241 |
 | FCHM | 森萨塔传感器 (Sensata-BEI) | PUMP CONTROLLER - PRESSURE | ¥1,603.86778 |
 | FCH040N65S3-F155 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥74.1673 |
 | FCH072N60F-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 481W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥185.14301 |
 | FCH190N65F-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.6A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.90685 |
 | FCHC20-3R3K-RC | 3.3uH +/-10% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-5R6K-RC | 5.6uH +/-10% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-1R0M-RC | 1.0uH +/-20% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-681K-RC | 680uH +/-10% High Current Chip | ¥0.00 |