9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO303P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO303P参考价格为0.55000美元。Infineon Technologies BSO303P封装/规格：P通道功率MOSFET。您可以下载BSO303P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSO301SP H是MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO，包括OptiMOS？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了零件别名，用于BSO301SPHXXT BSO301PSHXUMA1 SP000613796，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数量的通道，供应商器件封装为PG-DSO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.79W，晶体管类型为1个P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为5890pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为12.6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为8 mOhm@14.9A，10V，Vgs的最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为136nC@10V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为110 ns，上升时间为22ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-14.9A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型导通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为-102nC，并且前向跨导Min为44S，并且信道模式为增强。
BSO301SP/301SP带有INF制造的用户指南。BSO301SP/301SP采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
BSO302SN，带有INFINEON制造的电路图。BSO302SN在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
