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ZXMHC6A07T8TA

  • 描述:场效应管类型: 2个N和2个P通道(H桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A、1.3A 供应商设备包装: SM8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.54422 13.54422
10+ 12.18980 121.89801
100+ 9.80036 980.03680
500+ 8.05178 4025.89350
1000+ 6.67150 6671.50800
2000+ 6.27416 12548.32400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥13.54422
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.54
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 最大功率 1.3瓦
  • 场效应管类型 2个N和2个P通道(H桥)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.2nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 166皮法@40V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.6A、1.3A
  • 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 1.8A, 10V
  • 包装/外壳 SOT-223-8
  • 供应商设备包装 SM8

ZXMHC6A07T8TA 产品详情

Zetex的新一代沟槽MOSFET采用了一种独特的结构,将低导通电阻和快速开关速度的优点结合在一起。这使其成为高效、低电压、电源管理应用的理想选择。

ZXMHC6A07T8TA所属分类:场效应晶体管阵列,ZXMHC6A07T8TA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMHC6A07T8TA价格参考¥13.544223,你可以下载 ZXMHC6A07T8TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMHC6A07T8TA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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