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BSO150N03MD G是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO，包括OptiMOS？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了零件别名，用于BSO150N03MDGXT BSO150NO3MDGXUMA1 SP000447476，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PG-DSO-8，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1300pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为15 mOhm@9.3A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@10V，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.8 ns，上升时间为3.8纳秒，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为9.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为15 mOhms，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为8.7ns，并且典型接通延迟时间为7.3ns，并且沟道模式为增强。
BSO150N03G，带有Infineon制造的用户指南。BSO150N03G采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
BSO150N03MDG，带有INFINEON制造的电路图。BSO150N03MDG在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
