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BSO615N G是MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC，包括SIPMOSR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSO615NGHUMA1 BSO615NG XT SP000216316，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SIPMOS商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为PG-DSO-8，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为380pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.6A，最大Id Vgs上的Rds为150 mOhm@2.6A，4.5V，Vgs最大Id为2V@20μA，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为150 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
BSO615N是MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC，包括2V@20μA Vgs th Max Id，它们设计为与PG-DSO-8供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于SIPMOSR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如150 mOhm@2.6A，4.5V，Power Max设计为2W，以及切割带（CT）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有380pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为2.6A。
BSO615N/615N，带有INF制造的电路图。BSO615N/615N在SOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
