ZXMC6A09DN8TA

Name: ZXMC6A09DN8TA
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7118226-ZXMC6A09DN8TA
Price: 15.789522 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A, 3.7A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	15.78952	15.78952
10+	14.17435	141.74355
100+	11.39380	1139.38060
500+	9.36101	4680.50700
1000+	7.75627	7756.27700

库存: 0
单价: ¥15.78952
数量:
- +
总计: ¥15.79

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
场效应管特性逻辑电平门
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 N和P通道
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SO
最大功率 1.8W
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A（最小值）
漏源电压标 (Vdss) 60V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1407皮法@40V
漏源电流 (Id) @ 温度 3.9A, 3.7A
导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 8.2A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24.2nC@10V

ZXMC6A09DN8TA 产品详情

Zetex的新一代沟槽MOSFET采用了一种独特的结构，将低导通电阻和快速开关速度的优点结合在一起。这使其成为高效、低电压、电源管理应用的理想选择。

ZXMC6A09DN8TA 相关器件

型号	制造商	描述	价格
ZXMN3A04KTC	达尔科技 (Diodes rporated)	MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK	¥15.06523
ZXMP10A17GTA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3	¥2.05409
ZXMN6A10N8TA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 供应商设备包装: 8-SO	¥17.86099
ZXMN6A11GTC	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta）最大功耗: 2W（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥11.08164
ZXMS6004FFTA	达尔科技 (Diodes rporated)	开关种类: 一般用途输出类别: n通道输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 低端负载电压: 60V (Max) 供应商设备包装: SOT-23F	¥4.55059
ZXMN6A25GTA(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.48057
ZXMS6004SGQTA		LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T&R 1	¥0.00
ZXMS6005SGQTA		LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T&R 1	¥0.00
ZXMS81200SPQ-13		HIGH SIDE INTELLIFET SO-8EP T&R	¥0.00
ZXMS6008FFQ-7		LOW SIDE INTELLIFET SOT23F T&R 3	¥0.00

ZXMC6A09DN8TA所属分类：场效应晶体管阵列，ZXMC6A09DN8TA 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXMC6A09DN8TA价格参考￥15.789522，你可以下载 ZXMC6A09DN8TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXMC6A09DN8TA规格参数、现货库存、封装信息等信息！