9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMD63N03XTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMD63N03XTA参考价格为2.46000美元。Diodes Incorporated ZXMD63N03XTA封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP。您可以下载ZXMD63N03XTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMD63N02XTA是MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP，包括ZXMD63系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004938盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，设备提供2信道数量的信道，设备具有供应商设备包的8-MSOP，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为1.04W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为700pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，最大Id Vgs上的Rds为130 mOhm@1.7A，4.5V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@4.5V，Pd功耗为870 mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.1 ns，上升时间为8.1纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为2.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为150 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13.5ns，典型接通延迟时间为3.4ns，沟道模式为增强。
ZXMD63N02XTC是MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-MSOP供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于130 mOhm@1.7A，4.5V，提供1.04W等功率最大功能，包装设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装，以及8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供700pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有6nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.5A。
ZXMD63N02X，带有ZETEX制造的电路图。ZXMD63N02X在MSOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
