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FDW2502P是MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8-TSSO，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包，该设备也可作为2 P通道（双通道）使用FET类型。此外，功率最大值为600mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1465pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.4A，最大Id Vgs上的Rds为35mOhm@4.4A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为21nC@5V。
FDW2501NZ NL，带有FAIR制造的用户指南。FDW2501NZ NL提供MSOP8封装，是IC芯片的一部分。
FDW2501Z，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDW2501Z采用TSSOP-8封装，是IC芯片的一部分。