9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMD63C02XTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMD63C02XTA价格参考1.96美元。Diodes Incorporated ZXMD63C02XTA封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP。您可以下载ZXMD63C02XTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMC6A09DN8TA是MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC，包括ZXMC6A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有8-SO的供应商器件包，配置为N信道P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为1.8W，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为1407pF@40V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.9A、3.7A，Rds On Max Id Vgs为45mOhm@8.2A、10V，Vgs th Max Id为1V@250μA（Min），栅极电荷Qg Vgs为24.2nC@10V，Pd功耗为2.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11 ns 23 ns，上升时间为3.3 ns 5.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为70 mΩ，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为28.5ns 55ns，典型接通延迟时间为4.9ns 4.6ns，信道模式为增强。
ZXMC6A09DN8，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMC6A09DN8在SOP8包中提供，是FET阵列的一部分。
ZXMC6A09DN8TC，带有ZETEX制造的电路图。ZXMC6A09DN8TC采用SO8封装，是IC芯片的一部分。
