9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMD65N02N8TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMD65N02N8TA参考价格为28.402美元。Diodes Incorporated ZXMD65N02N8TA封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC。您可以下载ZXMD65N02N8TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMD65P02N8TC是MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如8-SOP，FET类型设计用于2 P通道（双），以及1.75W的最大功率，该器件还可以用作20V漏极到源极电压Vdss。此外，输入电容Ciss Vds为960pF@15V，该器件采用标准FET特性，该器件具有4A电流连续漏极Id 25°C，最大Id Vgs的Rds为50 mOhm@2.9A，4.5V，Vgs最大Id为700mV@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为20nC@4.5V。
ZXMD65P03N8TA是MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC，包括1V@250μA（最小）Vgs和最大Id，它们设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于55 mOhm@4.9A，10V，提供功率最大特性，如1.75W，封装设计用于切割带（CT），除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作表面安装型。此外，输入电容Cis-Vds为930pF@25V，该器件提供25.7nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，该器件具有2个P通道（双）FET类型，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为3.8A。
ZXMD65P02N8TA是MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC，包括4A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 P通道（双通道），栅极电荷Qg Vgs设计为在20nC@4.5V下工作，以及960pF@15V输入电容Cis Vds，该装置也可以用作表面安装型。此外，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），器件采用Digi-ReelR封装，器件最大功率为1.75W，Rds On Max Id Vgs为50 mOhm@2.9A，4.5V，供应商器件封装为8-SO，Vgs th Max Id为700mV@250μa（Min）。
